ULN2003ADR是雙列16腳封裝，NPN晶體管驅(qū)動(dòng)器芯片。芯片內(nèi)部資源豐富，由七個(gè)硅NPN 達(dá)林頓管和一個(gè)消線圈反電動(dòng)勢(shì)二極管組成，可用以驅(qū)動(dòng)繼電器。ULN2003ADR采用集電極開(kāi)路輸出，輸出電流大，輸出端允許通過(guò)電流200mA；飽和壓VCE 約1V，耐壓BVCEO 約36V，故可直接驅(qū)動(dòng)繼電器，也可直接驅(qū)動(dòng)低壓線路。  
ULN2003ADR最大的特征是耐高壓，大電流。芯片集電器電流為500mA，輸出電壓50V，輸入電壓30V，終端電流2.5A。芯片存儲(chǔ)溫度范圍在65°C～150°C之間，工作溫度范圍在20°C～70°C 之間，操作極限溫度為150度。在不同溫度范圍內(nèi)采用不同的封裝類型，當(dāng)溫度范圍在20°C ～70°C之間時(shí)，芯片采用SOIC封裝，需要2500卷軸；當(dāng)溫度范圍在40°C ～85°C之間時(shí)，采用PDIP封裝，需要40支電子管封裝。   
有關(guān)于ULN2003ADR使用需要注意的是，該芯片的絕對(duì)最大額定值是在實(shí)驗(yàn)的條件下達(dá)到的，所以不推薦芯片在絕對(duì)最大額定值狀態(tài)下工作，否則會(huì)對(duì)芯片產(chǎn)生永久性傷害。長(zhǎng)時(shí)間在絕對(duì)最大額定值狀態(tài)下工作會(huì)嚴(yán)重影響器件功能的可靠性。   
ULN2003驅(qū)動(dòng)芯片具有電流增益高、工作電壓高、溫度范圍寬、帶負(fù)載能力強(qiáng)等特點(diǎn),適應(yīng)于各類要求高速大功率驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)，多用于單片機(jī)、智能儀表、PLC、數(shù)字量輸出卡等控制電路，可直接驅(qū)動(dòng)繼電器