深圳眾誠達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售磁控濺射用的靶材。磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜性質(zhì)的一項重要指標(biāo)，因此有必要研究影響磁控濺射均勻性的因素，以更好的實現(xiàn)磁控濺射均勻鍍膜。簡單的說磁控濺射就是在正交的電磁場中，閉合的磁場束縛電子圍繞靶面做螺線運(yùn)動，在運(yùn)動過程中不斷撞擊工作氣體氬氣電離出大量的氬離子，氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。所以要實現(xiàn)均勻的鍍膜，就需要均勻的濺射出靶原子（或分子），這就要求轟擊靶材的氬離子是均勻的且是均勻的轟擊的。由于氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，所以均勻轟擊很大程度上依賴電場的均勻。而氬離子來源于被閉合的磁場束縛的電子在運(yùn)動中不斷撞擊的工作氣體氬氣，這就要求磁場均勻和工作氣體氬氣均勻。但是實際的磁控濺射裝置中，這些因素都是不均勻的，這就有必要研究他們不均勻?qū)Τ赡ぞ鶆蛐缘挠绊憽?

深圳眾誠達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售的靶材，應(yīng)用于平板顯示行業(yè)。平面顯示器（FPD) 這些年來大幅沖擊 以陰極射線管 (CRT) 為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場，亦將帶動ITO靶材的技術(shù)與市場需求。如今的i T O靶材有兩種．一 種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié)，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫臺金靶材可以采用 直流反應(yīng)濺射制造 I T O薄膜，但是靶表面會氧化而影 響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產(chǎn) I T O 靶材，利用 L } I R F反應(yīng)濺射鍍膜． 它具有沉積速度快．且能精確控制膜厚，電導(dǎo)率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn) l。但是靶材制作困難，這是因為氧化銦和 氧化錫不容易燒結(jié)在一起。一般采用 Z r O2 、B i 2 O 3 、 C e O 等作為燒結(jié)添加劑，能夠獲得密度為理論值的 9 3 %~9 8 %的靶材，這種方式形成的 I T O薄膜的性能 與添加劑的關(guān)系極大。