3H-2000PS1型靜態(tài)容量法多孔二氧化硅比表面及孔容分析儀

多孔二氧化硅比表面及孔容分析儀性能簡(jiǎn)介：

測(cè)試方法： 靜態(tài)容量法

特征簡(jiǎn)列：

      ◆ BET比表面、外比表面、孔容孔徑、孔面積、微孔分析等完備的數(shù)據(jù)報(bào)告；
      
      ◆ 具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先獨(dú)立的高精度飽和蒸汽壓（P0）測(cè)試站；

      ◆ 具有精確的全自動(dòng)液氮面伺服保持系統(tǒng)；

      ◆ 具有國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先的測(cè)試、脫氣完畢自動(dòng)恢復(fù)常壓功能；

      ◆ 先進(jìn)的智能自檢流程，智能判斷樣品管是否安裝，試管夾套是否擰緊；

      ◆ 具有國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先的樣品預(yù)處理普通模式和分子置換模式兩種模式； 

      ◆ 精確的分壓點(diǎn)控制機(jī)制，可按設(shè)定要求對(duì)重點(diǎn)孔徑段進(jìn)行精細(xì)分析；

      ◆ 清晰形象的圖形化控制界面，并可在界面上進(jìn)行控制操作；

      ◆ 具有國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先的液氮杯防意外“安全下降”智能控制機(jī)制；

      ◆ 超強(qiáng)的穩(wěn)定性，即使意外斷電、斷線，亦不會(huì)丟失當(dāng)前數(shù)據(jù)，且實(shí)驗(yàn)可恢復(fù)繼續(xù)進(jìn)行；

      ◆ 強(qiáng)大的實(shí)驗(yàn)報(bào)告數(shù)據(jù)庫(kù)化管理功能；

      ◆ 全程自動(dòng)化智能化運(yùn)行，親和的語音操作提示；

      ◆ 軟件界面自定義風(fēng)格轉(zhuǎn)換；

多孔二氧化硅比表面及孔容分析儀測(cè)試?yán)碚撆c報(bào)告內(nèi)容：

1、吸附、脫附等溫線；

2、BET單點(diǎn)法比表面SBET-O

3、BET多點(diǎn)法比表面SBET-M  ，BET常數(shù)CBET      

4、朗格繆爾（Langmuir）比表面S Langmuir ，朗格繆爾平衡常數(shù)b Langmuir   

5、統(tǒng)計(jì)吸附層厚度法外比表面（STSA）S外 

6、粒度估算報(bào)告和真密度； 

7、BJH法孔容孔徑分布； 

8、MK-plate法（平行板模型）孔容孔徑分布（為BJH法的補(bǔ)充，適合對(duì)片層狀結(jié)構(gòu)材料分析）；

9、 t-plot法（Boder）微孔分析； 

10、MP法(Brunauer) 微孔分析；

11、D-R法（Dubinin- Astakhov）微孔分析；

多孔二氧化硅比表面及孔容分析儀測(cè)試精度： 測(cè)試精度高、重現(xiàn)性好。重復(fù)性誤差小于±2%；
 
測(cè)試范圍：比表面0.01m2/g以上，孔徑0.35-400nm；樣品類型:粉末,顆粒,纖維及片狀材料等可裝入樣品管的材料。

多孔二氧化硅比表面及孔容分析儀分析站數(shù)量：具有1個(gè)樣品分析站，1個(gè)P0測(cè)試站，2個(gè)樣品脫氣站；

P0測(cè)試：具有獨(dú)立的飽和蒸汽壓（P0）測(cè)試站，保證分壓測(cè)試的高準(zhǔn)確性；

樣品預(yù)處理： 主機(jī)自帶一體式脫氣裝置，同時(shí)處理樣品數(shù)量：2；兩路脫氣站具有獨(dú)立溫控，并具有獨(dú)立定時(shí)功能，可支持與測(cè)試同步進(jìn)行的不同溫度與不同時(shí)間的樣品脫氣處理；

多孔二氧化硅比表面及孔容分析儀樣品預(yù)處理模式：具有國(guó)內(nèi)唯一的“普通加熱抽真空分子擴(kuò)散模式”和“分子置換模式”兩種可選功能；分子置換模式相對(duì)分子擴(kuò)散模式效率提高1倍以上，可節(jié)省一半以上的預(yù)處理時(shí)間，解決以往靜態(tài)法樣品制備時(shí)間長(zhǎng)的問題； 

多孔二氧化硅比表面及孔容分析儀測(cè)試效率： 智能投氣量控制，中小吸附量樣品2-3min/分壓點(diǎn)，中大吸附量樣品3-5min/分壓點(diǎn)；BET多點(diǎn)法15-30min/1個(gè)樣品；BET單點(diǎn)法6-10min/1個(gè)樣品；標(biāo)準(zhǔn)孔徑測(cè)試60-120min/1個(gè)樣品；精細(xì)孔徑測(cè)試120-300min/1個(gè)樣品；以上測(cè)試時(shí)間不包含樣品預(yù)處理時(shí)間；

壓力測(cè)試：壓力測(cè)試范圍0-1.6bar（0-160KPa），精度誤差≤0.15%； 

多孔二氧化硅比表面及孔容分析儀液氮面控制：具有液氮面伺服保持系統(tǒng)，消除測(cè)試過程中由于液氮揮發(fā)使液氮面變化而帶來的死體積變化，提高測(cè)試精度；