IGBT是MOS結構雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。鑒于IGBT的參數(shù)特性，IGBT開發(fā)之初主要應用在電機、變換器（逆變器）、變頻器、UPS、EPS電源、風力發(fā)電設備等工業(yè)控制領域。產(chǎn)品應用于：為電力拖動、風力發(fā)電、電焊機、變頻器、高頻感應加熱、逆變電源、電力機車等行業(yè)提供完善專業(yè)的解決方案。為客戶提供全方位的技術支持！英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性，在設計靈活性上也絲毫不妥協(xié)基于尖端技術的IGBT功率模塊分為多種電壓等級、額定電流和拓撲結構，被廣泛應用于眾多應用場景。英飛凌產(chǎn)品的功率范圍很廣——從幾百瓦到數(shù)兆瓦。通用驅動器、伺服單元以及太陽能逆變器或風能設備等可再生能源應用，均受益于這些高可靠產(chǎn)品的杰出性能、高效性和超長壽命。